Le HCG1500S330H2K1 représente la nouvelle génération de semi-conducteurs de puissance, offrant des performances supérieures dans un boîtier H compact. Ce module est conçu pour les applications de conversion de puissance les plus exigeantes.
| Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|---|
| Tension collecteur-émetteur | VCE | VGE=0V,Tvj=25℃ | 3300 | V |
| Courant de collecteur CC | lc | Tc=100℃,Tvj=150℃ | 1500 | A |
| Courant de pointe du collecteur | CM | tp = 1 ms | 3000 | A |
| Tension porte-émetteur | VGE | ± 20 | V | |
| Dissipation totale de puissance | Ptot | Tc=25°℃,Tvj=150℃ | 16 | kW |
| Courant direct CC | IF | 1500 | A | |
| Courant direct de crête | IFRM | tp = 1 ms | 3000 | A |
| Courant de surtension | FISM | VR=0V,Tvj=150℃,
tp = 10 ms, demi-onde sinusoïdale |
13500 | A |
| IGBT Court-circuit SOA | tpsc | Vcc = 2500 V, puce VCEM ≤ 3300 V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 150 ℃ |
10 | μs |
| Température de jonction maximale | Tvj(max) | 150 | ℃ | |
| Température de fonctionnement de la jonction | Télé (op) | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Température du boîtier | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Température de stockage | TSTG | -40 ~ 125 | ℃ |


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