Le HCG1000S330H1K1 est un module de puissance IGBT haut de gamme conçu pour les applications exigeantes en puissance. Doté d'une technologie de grille planaire avancée et d'une structure à arrêt de champ, ce module offre des performances exceptionnelles dans un boîtier H1 standard.
| Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|---|
| Tension collecteur-émetteur | VCE | VGE=0V,Tvj=25℃ | 3300 | V |
| Courant de collecteur CC | lc | Tc=100℃,Tvj=150℃ | 1000 | A |
| Courant de pointe du collecteur | CM | tp = 1 ms | 2000 | A |
| Tension porte-émetteur | VGE | ± 20 | V | |
| Dissipation totale de puissance | Ptot | Tc=25°℃,Tvj=150℃ | 10 | kW |
| Courant direct CC | IF | 1000 | A | |
| Courant direct de crête | IFRM | tp = 1 ms | 2000 | A |
| Courant de surtension | FISM | VR=0V,Tvj=150℃,tp=10ms,demi-sinusoïdale | 9000 | A |
| IGBT Court-circuit SOA | tpsc | Vcc=2500V,VCEM PUCE ≤ 3300 V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 150 ℃ |
10 | μs |
| Température de jonction maximale | Tvj(max) | 150 | ℃ | |
| Température de fonctionnement de la jonction | Télé (op) | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Température du boîtier | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Température de stockage | T stg | -40 ~ 125 | ℃ |
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