Le HCS05FH230E2B2 est un module MOSFET SiC de pointe, offrant une tension nominale de 2300 V et une résistance à l'état passant ultra-faible de 5 mΩ. Il adopte une topologie en demi-pont avec la technologie Si₃N₄ AMB et est logé dans un boîtier Easy2B pour une dissipation thermique efficace et une résistance mécanique élevée.
| VALEURS MAXIMALES |
|||
| Note | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension drain-source | VDsS | 2300 | V |
| Tension grille-source | VG | + 22 / -10 | V |
| Courant de drain continu à Tc = 80 (TJ = 175 ℃) | IDS | 240 | A |
| Courant de drain pulsé (TJ = 175 ℃) | IDPulse | 300 | A |
| Dissipation de puissance maximale à Tc = 80 °C (TJ = 175 °C) | Ptot | 710 | W |
| Température minimale de fonctionnement de la jonction | TJMIN | - 40 | ℃ |
| Température maximale de jonction de fonctionnement | TJMAX | 175 | ℃ |
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