Le HCM32S12T4K2B est un MOSFET de puissance en carbure de silicium (SiC) de 1200 V et 32 mΩ dans un TO-247-4Boîtier L, conçu pour les applications à haut rendement et haute fiabilité. Construit avec la technologie MOSFET SiC de 3e génération, il offre une faible résistance à l'état passant, une commutation ultra-rapide et d'excellentes performances thermiques.
| Paramètre | Symbole | État | Valeur | Unité |
|---|---|---|---|---|
| Tension drain-source | VDS maximum | VGs = 0 V, Ip = 100 μA | 1200 | V |
| Tension grille-source | VGS max | Valeurs maximales absolues | -10 / 22 + | V |
| VGS op | Valeurs opérationnelles recommandées | -5 / 18 + | V | |
| Courant de drain continu | ID | VGs=18V,Tc=25℃ | 90 | A |
| VGs=18V,Tc=100℃ | 64 | |||
| Courant de drain pulsé | Impulsion d'identification | Largeur d'impulsion tp limitée par Tvjmax | 270 | A |
| Dissipation de puissance | PD | Tc=25℃, Tvjmax=175℃ | 417 | W |
| Température de jonction de fonctionnement | Tvjop | -55 ~ 175 | ℃ | |
| Plage de température de stockage | TSTG | -55 ~ 175 | ℃ |
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