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Module d'alimentation SiC

Découvrez la gamme innovante de modules semi-conducteurs de puissance SiC de HIITIO, qui exploite la puissance du carbure de silicium pour l'électronique de puissance de nouvelle génération. Ces modules offrent un rendement exceptionnel, des performances robustes à haute température et une fiabilité inégalée, parfaits pour les applications exigeantes des véhicules électriques, des énergies renouvelables et des secteurs industriels.

Catégorie
Type de module
Forfait
Schéma
Tension de blocage (V)
Courant (A)
RDS (activé) (mΩ)
Température max (°C)
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Image(s)
Référence
Type
Forfait
Schéma
Tension de blocage (V)
Courant (A)
RD (activé) (mΩ)
Température max (°C)
Caractéristiques 
MOSFET SiC
Easy 2B
2300
SiC
Easy 1B
Half Bridge
1200
150
6.2
175
SiC
Easy 2B
Half Bridge
1200
200
6
175
SiC
Easy 2B
Half Bridge
1200
160
7.5
175
SiC
Easy 1B
FT: Three phase
1200
150
9
175
SiC
62mm
Half Bridge
1200
200
8.48
175
SiC
62mm
Half Bridge
1700
300
6.7
175
SiC
Econo Dual 3B
Half Bridge
1700
400
4.5
175
SiC
62mm
Half Bridge
1200
360
4.25
175
SiC
62mm
Half Bridge
1700
400
5.2
175
SiC
Flow0
Dual Boost
1200
50
40
175
SiC
Econo Dual 3A
Half Bridge
1200
600
3.2
175
SiC
Econo Dual 3C
Half Bridge
1200
600
2.2
175
SiC
Econo Dual 3A
Half Bridge
1700
600
3.4
175
SiC
Econo Dual 3C
Half Bridge
1200
800
1.7
175
SiC
Econo Dual 3A
Half Bridge
1700
800
2.8
175
SiC
Econo Dual 3A
Half Bridge
1200
900
2
175

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