Découvrez la gamme innovante de modules semi-conducteurs de puissance SiC de HIITIO, qui exploite la puissance du carbure de silicium pour l'électronique de puissance de nouvelle génération. Ces modules offrent un rendement exceptionnel, des performances robustes à haute température et une fiabilité inégalée, parfaits pour les applications exigeantes des véhicules électriques, des énergies renouvelables et des secteurs industriels.
Image(s) | Référence | Type | Forfait | Schéma | Tension de blocage (V) | Courant (A) | RD (activé) (mΩ) | Température max (°C) | Caractéristiques |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOSFET SiC | Easy 2B | 2300 | |||||||
SiC | Easy 1B | Half Bridge | 1200 | 150 | 6.2 | 175 | |||
SiC | Easy 2B | Half Bridge | 1200 | 200 | 6 | 175 | |||
SiC | Easy 2B | Half Bridge | 1200 | 160 | 7.5 | 175 | |||
SiC | Easy 1B | FT: Three phase | 1200 | 150 | 9 | 175 | |||
SiC | 62mm | Half Bridge | 1200 | 200 | 8.48 | 175 | |||
SiC | 62mm | Half Bridge | 1700 | 300 | 6.7 | 175 | |||
SiC | Econo Dual 3B | Half Bridge | 1700 | 400 | 4.5 | 175 | |||
SiC | 62mm | Half Bridge | 1200 | 360 | 4.25 | 175 | |||
SiC | 62mm | Half Bridge | 1700 | 400 | 5.2 | 175 | |||
SiC | Flow0 | Dual Boost | 1200 | 50 | 40 | 175 | |||
SiC | Econo Dual 3A | Half Bridge | 1200 | 600 | 3.2 | 175 | |||
SiC | Econo Dual 3C | Half Bridge | 1200 | 600 | 2.2 | 175 | |||
SiC | Econo Dual 3A | Half Bridge | 1700 | 600 | 3.4 | 175 | |||
SiC | Econo Dual 3C | Half Bridge | 1200 | 800 | 1.7 | 175 | |||
SiC | Econo Dual 3A | Half Bridge | 1700 | 800 | 2.8 | 175 | |||
SiC | Econo Dual 3A | Half Bridge | 1200 | 900 | 2 | 175 |
HIITIO® a été créée en 2018 suite à la création par Hecheng Electric d'une équipe de R&D mature. HIITIO est spécialisée dans la production d'appareils électriques CC haute tension pour les véhicules électriques, les systèmes d'énergie solaire et les applications de stockage d'énergie.
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