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Next-Generation

Dossier de presse IGBT

Technologie IGBT révolutionnaire sous pression offrant une densité de puissance, une fiabilité et des performances thermiques inégalées pour les applications industrielles exigeantes.

Tension nominale maximale : 6500 XNUMX V

Courant nominal maximal : 5000 XNUMX A

Nos Produits

Alors que les modules isolés sont les boîtiers IGBT les plus couramment utilisés, les dispositifs press-pack sont privilégiés dans les applications qui nécessitent une connexion en série en raison de leur facilité d'empilage électrique et mécanique, ainsi que de leur capacité inhérente à conduire dans un état court-circuité.

4500V / 2000A

Transmission flexible de courant continu d'énergie éolienne offshore en haute mer et interconnexion flexible de courant continu au réseau électrique régional.

Capacité de la vanne de convertisseur de transmission flexible : ± 500 kV/2 GW

4500V / 3000A

Transmission UHVDC longue distance, interconnexion CC flexible au réseau régional, transmission CC flexible de l'énergie éolienne offshore en haute mer et capacités de support actif du réseau améliorées.

Capacité de la vanne de convertisseur de transmission flexible : ± 800 kV/5 GW, ± 500 kV/3 GW

6500V / 2000A

Transmission flexible de courant continu d'énergie éolienne offshore en haute mer et interconnexion flexible de courant continu au réseau électrique régional.

Capacité de la vanne de convertisseur de transmission flexible : ± 500 kV/2 GW (compacte)

6500V / 3000A

Transmission UHVDC longue distance, interconnexion CC flexible au réseau régional, transmission CC flexible de l'énergie éolienne offshore en haute mer et capacités de support actif du réseau améliorées.

Capacité de la vanne de convertisseur de transmission flexible : ± 800 kV/5 GW (compact), ± 500 kV/3 GW (compact)

Notre dossier de presse Projets IGBT en fonctionnement

Projet de réseau CC flexible de Zhangbei

Niveau de tension: ± 500 kV
Niveau d'énergie: 3000MW
Station de conversion : Station de conversion de Yanqing

Dangxiong et Saga, Tibet Statique Synchrone

Niveau de tension: CA 35 kV
Niveau d'énergie: ±(50~150)Mvar
Station de conversion : Station de conversion de Dangxiong et Saga

Projet de CC flexible dos à dos du canal central du Guangdong

Niveau de tension: ± 300 kV
Niveau d'énergie: 2*1500MW
Station de conversion : Station de conversion de Yuezhong

Projet de transmission UHVDC Baihetan-Jiangsu

Niveau de tension: ± 800 kV
Niveau d'énergie: 8000MW
Station de conversion : Sud
Station de conversion

Dossier de presse avancé sur la technologie IGBT

Nos modules IGBT de dossier de presse combinent une technologie de semi-conducteurs de pointe avec une conception mécanique robuste pour offrir des performances supérieures dans les applications les plus exigeantes.

Haute densité de puissance

Jusqu'à 6500 3000 V/XNUMX XNUMX A avec gestion thermique optimisée pour une puissance maximale dans un format compact.

Fiabilité supérieure

La construction robuste du press-pack garantit une excellente stabilité mécanique et une fiabilité à long terme dans les environnements difficiles.

Refroidissement amélioré

Capacité de refroidissement double face avec contact direct avec le substrat pour des performances thermiques optimales.

Intégration facile

Dimensions de boîtier et interfaces de connexion standardisées pour une intégration système transparente.

Pourquoi choisir HIITIO comme partenaire idéal

Choisir HIITIO, c'est choisir un partenaire dédié à la réussite de votre projet Presspack IGBT. Ce qui nous distingue, c'est non seulement notre expertise, mais aussi notre engagement à vous offrir de la valeur ajoutée :

Plateforme technologique de puces

Sur la base des tendances de développement de l'industrie des semi-conducteurs, nous menons des recherches techniques sur les générations de technologies de puces pour éliminer les barrières techniques au développement de produits.

Plateforme technologique d'emballage

En fonction des besoins des différents scénarios d'application, nous gérons le développement des produits selon deux axes : performance et standard, améliorant ainsi la compétitivité des produits sur le marché.

Dossier de presse Certification IGBT-1
Dossier de presse Certification IGBT-2
Dossier de presse Certification IGBT-4
Dossier de presse Certification IGBT-3

HIITIO met en œuvre une gestion complète. Voici les détails :

Développement de produits

Nous avons adopté le processus de développement IPD de Huawei et l'avons intégré à l'essence de l'APQP dans le processus de développement de produits de HIITIO.

Gestion de la qualité des matériaux entrants

Disposer d'un équipement avancé d'inspection des matériaux entrants, qui couvre principalement les propriétés matérielles des matières premières d'emballage.

Contrôle des processus de production

Utilisez des lignes de production automatisées avancées et des systèmes numériques pour obtenir une traçabilité complète des produits, effectuer des SPC, des MSA et gérer les alarmes d'anomalie.

Évaluation des fournisseurs

Mettre en œuvre un système rigoureux de gestion de la chaîne d’approvisionnement, du début à la fin de la production de masse, englobant la recherche de fournisseurs et la gestion des incidents de qualité.

Certifications du système

Nous détenons les certifications ISO 9001, IATF 16949, ISO 45001 et ISO 14001.

Capacité de production

La ligne de test et d'emballage de semi-conducteurs IGBT HIITIO est une ligne de production de test et d'emballage de modules de puissance numériques entièrement automatisée et de premier plan au niveau national.

3100

Salle blanche de classe 1000 (㎡)

1000000

Capacité de production annuelle de modules soudés (unités)

50000

Capacité de production annuelle de modules à emmanchement forcé (unité)

>98%

Taux de rendement des produits moyenne et basse tension

Capacités de test d'application

Le laboratoire de dispositifs de puissance à semi-conducteurs HIITIO couvre une superficie de 2,930 100 mètres carrés et représente un investissement cumulé de plus de 650 millions de yuans. Il comprend des capacités d'évaluation de la fiabilité, d'analyse des défaillances et de test, couvrant une gamme complète de capacités de certification pour les dispositifs de puissance de 6500 V à 2023 XNUMX V. Il obtiendra la certification nationale CNAS en XNUMX.

Évaluation de la fiabilité

Essais environnementaux; Stockage à haute et basse température; Fluctuations de température et d'humidité; Cycles de température; Choc chaud et froid; Essai au brouillard salin; Essai de choc.

Évaluation des performances

Essais de paramètres statiques ; Essais de paramètres dynamiques ; Essais de résistance thermique ; Essais d'élévation de température ; Essais de capacité ultime ; Essais de surtension ; Essais RBSOA.

Évaluation des candidatures

Système d'évaluation de test à deux niveaux ; Système d'évaluation de test à trois niveaux ; Système de test de vieillissement de la puissance réactive ; Système de test d'application de moteur ; Plateforme de test de déconnexion de trois à trois paires.

Analyse de défaillance

Fluoroscopie à rayons X; Balayage acoustique; Microscope métallographique; Imagerie thermique infrarouge; Localisation de points chauds; Microscope électronique à balayage; Test de court-circuit parallèle;

Application de HIITIO PressPack IGBT

Transmission UHVDC longue distance

Transmission flexible de courant continu pour l'énergie éolienne offshore en haute mer

Interconnexion flexible en courant continu du réseau électrique régional

Amélioration des capacités de soutien actif des réseaux électriques

Passez aux IGBT Press Pack pour des performances supérieures !

Alimentez votre système avec Dossier de presse HIITIO IGBTConçu pour les applications haute puissance et haute tension. Idéal pour les systèmes CCHT, les énergies renouvelables et les entraînements industriels. HIITIO offre une durabilité, une redondance et des performances auxquelles vous pouvez faire confiance.

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